对话半导体光刻专家庞琳勇博士：全芯片ILT是半导体向下迭代的关键技术
在半导体制造领域，光刻技术是实现集成电路图案转移的关键工艺。随着摩尔定律的持续推进，芯片图形特征尺寸不断缩小，光刻技术正面临着前所未有的挑战。其中，光学邻近效应导致晶圆上的光刻图形与掩模设计图形产生偏差，这使得基于计算光刻技术对掩模进行修正（OPC）以减弱光学
ilt
对话光刻专家庞琳勇博士：全芯片ILT是半导体向下迭代的关键技术
在半导体制造领域，光刻技术是实现集成电路图案转移的关键工艺。随着摩尔定律的持续推进，芯片图形特征尺寸不断缩小，光刻技术正面临着前所未有的挑战。其中，光学邻近效应导致晶圆上的光刻图形与掩模设计图形产生偏差，这使得基于计算光刻技术对掩模进行修正（OPC）以减弱光学
光刻国际顶会，700余位业内人士齐聚深圳
在半导体产业的“微缩竞赛” 中，光刻技术始终是决定芯片性能天花板的关键。从微米级工艺到纳米级突破，从深紫外（DUV）到极紫外（EUV）的技术迭代，它不仅承载着摩尔定律演进的核心动力，更成为全球科技竞争与产业协同的战略焦点。如今，随着芯片应用向人工智能、新能源汽